布电b）用于CO2加氢的碳氢化合物（HCs）和含氧化合物的无CO分布。

迄今为止，堆新根据国际半导体技术路线图（ITRS）的预测，堆新半导体技术一直在发展，但现在正处于饱和或取得突破的十字路口，以在未来10年中进一步发展。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，布电投稿邮箱[email protected]。

同时对具有代表性的MVL门的通用格式的评估，堆新揭示了组件器件为实现理想的宽范围运行而需要满足的设计标准。（b，布电c）值线图和NDR传递特性。（d，堆新f）二值逆变器和STI在输入电压波动下的时间响应。

布电（b）电路复杂度的理论估计。堆新（f）QDGFET的多值传输特性显示了常规导通状态和截止状态之间的中间状态。

文献链接：布电RecentAdvancesonMultivaluedLogicGates:AMaterials Perspective(AdvancedScience，2021，10.1002/advs.202004216)本文由材料人CYM编译供稿。

（c，堆新e）二逆逆变器和STI的典型输入/输出特性和品质因数。布电（e）极化子的多重稳定性。

同时对具有代表性的MVL门的通用格式的评估，堆新揭示了组件器件为实现理想的宽范围运行而需要满足的设计标准。总结了每种材料的发展，布电为将来对MVL门的研究提供了指导。

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